Surface nanostructuring of CuIn1-xGaxSe2 films using argon plasma treatment

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dc.contributor.author Bente, Klaus
dc.date.accessioned 2017-09-06T15:00:53Z
dc.date.available 2017-09-06T15:00:53Z
dc.date.issued 2017
dc.identifier.issn 1361-6641
dc.identifier.uri http://hdl.handle.net/10900/77781
dc.language.iso en de_DE
dc.publisher Iop Publishing Ltd de_DE
dc.relation.uri http://dx.doi.org/10.1088/1361-6641/aa6fd9 de_DE
dc.rights info:eu-repo/semantics/closedAccess
dc.subject.ddc 530 de_DE
dc.subject.ddc 600 de_DE
dc.title Surface nanostructuring of CuIn1-xGaxSe2 films using argon plasma treatment de_DE
dc.type Article de_DE
utue.quellen.id 20170815222223_00314
utue.personen.roh Zimin, S. P.
utue.personen.roh Gorlachev, E. S.
utue.personen.roh Mokrov, D. A.
utue.personen.roh Amirov, I. I.
utue.personen.roh Naumov, V. V.
utue.personen.roh Gremenok, V. F.
utue.personen.roh Juskenas, R.
utue.personen.roh Skapas, M.
utue.personen.roh Kim, W. Y.
utue.personen.roh Bente, K.
utue.personen.roh Chung, Y-D
dcterms.isPartOf.ZSTitelID Semiconductor Science and Technology de_DE
dcterms.isPartOf.ZS-Issue Article 075014 de_DE
dcterms.isPartOf.ZS-Volume 32 de_DE
utue.fakultaet 07 Mathematisch-Naturwissenschaftliche Fakultät de_DE


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